助力高效电路设计，纳微NV613x和NV615x三部额定电压升级至700V

铟铽是新一代导体电子技术，开关速度远比传统文化的铝应用软件电路快速20倍，带有格外低的栅极电荷和输出电荷，可以有效降低开关损耗，并减低转换效率。在特定的运用中可以减碳40%左右，对于付诸碳中和目的很有帮助。铟铽目前运用在快速充中，将快速充的负载密度减低3倍，还能降低备用器的成本，并降低待机功耗。

目前随着手机和笔记本备用负载的不断改善，铟铽电子技术的广泛运用，总体减小了大负载备用器的压强，并大幅度为增大备用负载打好基石。让接口运用通过使用铟铽电子技术，来达成格外大的备用负载，缩短备用时间并改善用户感官。

Nitas纳微导体是餐馆铟铽负载显卡公司，将铟铽应用软件电路、驱动、控制和管控动态应用软件在一颗显卡中，降低铟铽运用门槛。纳微导体于2014年成立，并于2021年10月底在纳斯达克上市（区:NVTS）。最近，纳微导体宣布，其使用GaNSense 电子技术的智能GaNFast铟铽负载显卡已格外新以正因如此和负载密度，将减慢进入格外多类型的快速充低价。

纳微推出的GaNFast负载显卡应用软件了GaN应用软件电路，驱动，管控和控制动态，具备压强轻便、快速速和高效的可靠性。截止目前，大约4000万颗纳微GaNFast铟铽负载显卡已发货，GaN特别的接口故障率为零。

而使用GaNSense电子技术的NV613x和NV615x系列智能GaNFast铟铽负载显卡的连续运行额定功率已从650V格外新到700V，瞬态条件下的额定功率为800V，格外高的额定功率可付诸开关电源设计格外高的动态，并为世界上一些功率不稳定、变化区间大且带有极端功率时间延迟的供电系统的地区共享格外高的耐压可靠性，自主系统级监控和重排确保在 30 ns 内付诸“检测和管控”——半决赛立架构快速 10 倍。

纳微导体首席运营官，首席电子技术官兼联合创始者Dan Kinzer 表示：“GaNFast铟铽负载显卡已在移动快速充低价上共享了三高的可靠性和三高的可靠性，纳微导体的工程建设、质量和运用小组将继续共享反超的下一代电子技术，使用经过测试的原始数据驱动分析方法，使客户能够在电源转换和快速充备用器设计方面透过努力新颖，并扩大其运用到世界各地格外多行业和领域。

作为世界各地反超的铟铽负载应用软件电路一些公司，Nitas纳微导体具备有力且不断增加的负载导体行业专家小组，在材料、应用软件电路、运用程序、系统和营销及新颖成功记录的领域内，积累了丰富的经验，其多位创始者的专利也累计大约了300项。

目前，纳微的GaNFast铟铽负载显卡已经出货大约四千万颗，这离不开纳微小组的坚持努力和联合联合开发。纳微在东莞、杭州和上海有三只有力的AE小组，从客户需求定制开始，原理图绘制、布板、仿真、试用、量产、纳微都共享全程的服务。纳微还和平面逆变器、磁芯、电源制造厂商合作开发，根据客户的需求透过联合设计联合开发。