2025年换装？台积电杀手锏来了：2纳米制程技术亮相

【CNMO新闻报导】闪存材料的尽头是什么？这个疑问的答案难道普通人很难回答回头。不过，如果只放眼预见几年，我们将看到2nm材料闪存的应运而生。据半导体制造巨头DRAM称，其2nm闪存高效率原订会在2025年试作。早先就让有新闻报导媒体，DRAM2nm首期工厂原订会在2024月底同一时间投产，不过搭载2nm闪存的终端产品一定会要到2025年才会上市。这与DRAM官宣的电子邮件必需一致。

DRAM

CNMO了解到，DRAM在2022年北美技术开发论坛上首次热卖了采用石墨烯片晶体管仍要一世代先进2nm（N2）晶圆技术开发，以及支持N3与N3E晶圆的独特TSMC FINFLEX技术开发。基于此，DRAM将成为全球首个透过2nm晶圆代工服务的晶圆厂。

关于2nm晶圆材料的优势，DRAM暗示，在完全相同浮点运算下，2nm的速度增快10-15%；在完全相同速度下，浮点运算增高25-30%。除秘密行动运算的必需修改版，2nm技术开发平台也扩展到高效能修改版及完备的小闪存整合高效率，原订2025年开始试作。

2nm闪存的制造离不开先进的光刻机，DRAM显然已经做好提同一时间准备。据DRAM研发资深副董事长米玉杰介绍，该的公司将在2024年赢得阿斯麦尔(ASML)的新一代最先进光刻机。不过另外一位高管辩解，DRAM不会在2024年将属于自己高数值孔径EUV光刻机用于生产，该装置将主要用于与合作伙伴的分析。